Samsung, arrivano le nuove memorie DDR4 a 10 nanometri di 2° generazione

Samsung Electronics ha avviato la creazione di una nuova generazione di memorie RAM DDR4 (DRAM ad 8 gigabit) da 10 nanometri, dalle prestazioni ulteriormente migliorate in termini di efficienza energetica e ridimensionamento dei chip per un alloggiamento più facile nei dispositivi moderni: questa seconda generazione di memorie è in grado di offrire inoltre una potenza di calcolo del 30% maggiore dei chip predecessori.

Samsung, nuove RAM DDR4 a 10 nanometri: i miglioramenti

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I circuiti che fanno parte della board sono infatti stati studiati nuovamente da cima a fondo, con una riprogettazione che ha permesso l’incremento delle performance fino a 3600 MBPS per pin, superando di 400 le memorie della prima generazione.

Un passo in avanti consistente per le memorie RAM DDR4, che sono spesso sotto osservazione da parte di gamer ed esperti del multimediale, alla ricerca di una configurazione hardware soddisfacente per i propri esperimenti: ancora una volta, Samsung non delude da questo punto di vista e permette agli utenti che amano la customizzaazione dei propri laptop l’ “impossibile”.

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