Samsung, le nuove memorie eUFS flash da 512 GB sono sempre più vicine

Samsung ha in serbo una novità eclatante per quanto riguarda il mondo dello storage flash, ovvero delle memorie di massa che trovano puntuale applicazione sui nostri dispositivi mobile preferiti e non solo: le nuove eUFS da 512 GB, che permettono un incremento sensibile delle prestazioni in fase di lettura e scrittura informazioni e di gestione del device.

Le nuove eUFS (Embedded Universal Flash Storage) sono state costruite con tecnologia V-NAND a 64 layer, ciò ha permesso di incrementare le capacità di scrittura e lettura sequenziale dei dati portandola a 860 megabyte per secondo e 255 megabyte per secondo, rispettivamente, facendo registrare un record rispetto alle precedenti eUFS di capacità dimezzata.

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Per ottenere questo risultato, Samsung ha riprogettato la disposizione del controller della memoria flash, nonché la velocità di accesso ai dati memorizzati (portandola a 42000 IOPS, ovvero Input-output per second). Si passa così a memorie SSD più dense, capaci di ospitare più dati e soprattutto di gestire al meglio il loro recupero da parte dello smartphone o del dispositivo in uso: le vedremo proprio su Galaxy S9 e Note 9, nel 2018?

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