Samsung, nuova generazione di processori 8 nanometri FinFET più vicina

Samsung è ufficialmente pronta a concentrarsi sulla prossima generazione di chipset per smartphone ad 8 nanometri, costruiti tramite il processo produttivo ad 8 nanometri FinFET Low Power Plus, che costituisce un avanzamento notevole in termini di affidabilità, performance generali e velocità per i processori dei device del futuro, a partire dal discusso Samsung Galaxy S9 che debutterà entro il primo quadrimestre del 2018.

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Si tratta del passo che precederà l’arrivo dei chipset 7 nanometri previsto per il prossimo anno, e capace di sostenere la maggioranza degli smartphone Android top di gamma che verranno prodotti entro il 2019: tra di essi, ci sarà un chip Exynos “speciale” a potenziare la prossima serie “S” e “Note”, che sembra riprendere quota dopo un anno di incidenti di piccola e media entità?

Tra i principali vantaggi della nuova architettura 8 nm FinFET, troviamo un incremento sensibile di performance in multitasking ed un power saving del 10% superiore rispetto alla precedente (attuale) generazione. Entro il 2020, Samsung prevede comunque di creare processori con tecnologia litografica ultravioletta ancora più precisa, grazie al supporto di GlobalFoundries: in che modo evolveranno i nostri smartphone top del futuro?

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